SK hynix, 1c LPDDR6 RAM 개발, 이전 표준보다 더 빠르고 효율적

SK하이닉스는 올 하반기 1c(10nm급) DRAM 공정 기반의 LPDDR6 메모리의 대량 생산을 시작한다고 발표했다. 회사는 1c 디스의 검증을 완료했으며, 올 상반기에는 대량 생산을 위한 준비를 진행할 예정이다. 회사는 기기 내 AI를 탑재한 스마트폰 및 태블릿에 사용될 16기가비트 LPDDR6 칩을 개발했다. 대역폭이 많은 AI 작업은 LPDDR5X 대비 데이터 처리 속도가 33% 향상될 전망이다. 새롭게 출시된 RAM의 기본 운영 속도는 10.7Gbps이다. 또한 LPDDR6은 이전 RAM 표준 대비 최소 20% 이상의 전력 효율성을 보인다. 이는 수요에 따라 성능을 조절하는 두 가지 방법을 통해 달성된다. 즉, 서브 채널 구조와 동적 전압 및 주파수 조절(DVFS)이다. 서브 채널 구조는 추가 대역폭이 필요하지 않을 때 일부 데이터 경로를 비활성화할 수 있게 한다. DVFS는 이름 그대로 가벼운 작업 시 운영 주파수(그리고 전압)를 줄이고, AI 및 게임과 같은 고부하 작업에서는 다시 증가시킬 수 있다. SK하이닉스는 1c LPDDR6 RAM이 미래 기기의 배터리 수명을 연장하고 멀티태스킹 성능을 향상시킬 것이라고 밝혔다.